バンプ (bump) は英語で「こぶ」「隆起」「衝突」などを意味する単語。 バンピン（化学） - 化学実験などでの「突沸」を英語で bumping と呼ぶ。 沸騰石、en:Bumping (chemistry)を参照。; ザ・バンプ - コモドアーズのファンク、ディスコ・ヒット曲(1974年) ザ・バンプ - ケニー(UK)のファンク、ディスコ曲 Bump intoも、Run intoと同じ意味、同じニュアンスで使えます。 Bump intoは無意識に人や物にぶつかることや車で衝突することを意味します。 ただし、I bumped into a problem.と問題に直面した場合には使いませんのでご注意ください。 My car bumped into the tree last week. gooIDでログインするとブックマーク機能がご利用いただけます。保存しておきたい言葉を200件まで登録できます。 他; 1 …をぶつけて落とす，はね[弾き]飛ばす; 2 ((略式))〈人を〉殺す，ばらす; bump up against A. A（人）と偶然知り合う Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > bump intoの意味・解説 > bump into に関連した英語例文. bump into baby bump (妊婦さんのおなかの膨らみを表すスラング） [ベィビー・バンプ] "Oh right there's the baby bump celebration party!" 英語でもこちらの意味もあるので、文脈で判断するしかありません。 dump（スラング） スラングでdumpには「大便・うんこ」の意味があります。人間、動物の両方に使えるみたいです。これも捨てるイメージからでしょう。 I have to take a dump. 過去の検索ランキングを見る bumpの慣用句・イディオム. 設定例文検索の条件設定「カテゴリ」「情報源」を複数指定しての検索が可能になりました。（不適切な検索結果を除外する該当件数 : よく見かける木にドンと突き当たる.I 彼女と偶然出会う。不意に強い勢いでぶつける犬も歩けば棒に当たるそれにぶつかる船を破壊するように設計された機雷この場合、バンプ先端部が多少潰れながら電極２１に食い込んだ形となる。次に、バンプ用部材１３をバンプ電極に成形する熱処理工程を経る。A 半導体素子１上の電極パッド２の上に、下段バンプ３を形成し、この上に、下段バンプ３より小さい上段バンプ４を形成し、電極バンプ１３の全体形状を２段形状にする。This この弾性導電部５４は、バンプに挿入可能で、バンプ４３に挿入されるとき、バンプ４３と電気的に導通すると共に、スルーホール５５の側面がバンプ４３に押圧されて、弾性変形して凹み、バンプ４３がスルーホール５５内に食い込むようになっている。第１のバンプ３１の先端部に、当該先端部より第２のバンプ３２側へ向かって突出する突起４０を設けておき、その後、突起４０を第２のバンプ３２の先端部に突き刺して両バンプ３１、３２の先端部同士を接触させる。駆動ＩＣのバンプを、電源配線に接続されるバンプ１３１のバンプグループ、バンプ１５１のバンプグループ、グランド配線に接続されるバンプ１４１のバンプグループ、およびバンプ１６１のバンプグループに分ける。The 上部段差部は、上部開口部に挿入されるための上部ピンを有し、下部段差部は、下部開口部に挿入するための下部ピンを有する。The 電極と導電接触するバンプ電極１４を有する。次いで、アンダーフィル材９の表層を切削してバンプ４を均一高さに切削し、かつバンプ４の先端を表出させる。The 修正高度バンプマップデータＭＢＭｈを偏微分演算処理により法線ベクトルで記述される修正法線バンプマップデータＭＢＭｎへ変換し（Ｓ２００）、修正法線バンプマップデータを保存する（Ｓ２２０）。The インナーリード６ａをバンプ１に接続するときに、バンプ１がフィルムキャリアテープ３に接触するまでインナーリード６ａをバンプ１に埋没させる。そして、直列に連結された一端のバンプランド５４Ａに、信号回路から出力された所定の検査信号が出力され、連結パターン１８０を介して他端のバンプランド５４Ｂから検査信号が入力する。バンプアレイを複数階層構造とすることにより、バンプと配線パターンとの高精度な電気接続ができ、バンプピッチ縮小とパンプ強度向上の両立ができ、かつ量産性の高いチップサイズパッケージ及びその製造方法を提供する。The バンプ７とダミーバンプ８とがそれぞれ接触する半導体ウエハ１上のパッド同士は配線３を通じて接続されており、外部の電源によりバンプ７とダミーバンプ８との間に電圧を印加して、外部パッド２Ａの表面の酸化膜を絶縁破壊する。腕が伸ばされるとき、肘の外側の隆起を形成し、上腕の骨の窩に嵌まる尺骨突起そして、接触子３を、開口９を通してバンプ１２３に接触させるようにした。さらに、金バンプ２の周囲に保護用封止樹脂７を注入し硬化させる。もし前方に雲が見えると、よけようとすればするほど、確実にぶつかってしまうのです。The この探針先端近傍領域１２は、少なくともバンプ領域ＢＭＰに接触し始める時点でバンプ領域ＢＭＰ上面に対し並行して対向する接触面を有し、この対向離間距離をなくする方向に力が加えられた際、バンプ領域ＢＭＰと面接触する。これにより、ＩＣチップＣのハンダバンプと接続する際に、実質的に１点で接触するので、ハンダ内に空気やフラックス分解ガスを巻き込まない。The 半導体部品１１０の突起電極面１１０ａを凹状に変形させて半導体部品１１０を吸着し、凹状に変形された突起電極面１１０ａの突起電極１１３をフラックス又は半田ペースト１７１内に浸漬させて、突起電極１１３にフラックス又は半田ペースト１７２を転写する。The 封止板４０と、封止板４０の表面に形成されたバンプ電極４３と、封止板４０に形成された凸部４１ｂと、を備え、凸部４１ｂは、バンプ電極４３が配線３５に接合される際に基板１表面に接触してバンプ電極４３の潰れ具合を決定する。金属ボールが被バンプ形成体上に接したときに生ずる衝撃加重の減少と残留振動の抑制を図ることができ、ＩＣの狭ピッチ化に適応してバンプを品質よく形成、接合できるバンプボンディング装置を提供する。本発明は導電バンプを支持するリード部及び補圧用弾性体の弾性変位を良好に惹起せしめ、且つ導電バンプと外部接点間にワイピング作用を惹起せしめて、導電バンプを上記外部接点に健全に加圧接触せしめるようにしたプローブユニットを提供する。上面にバンプ１を形成した金属箔２に絶縁シート材３を重ね合わせると共に前記バンプ１を絶縁シート材３に突き刺して貫通させることによって、絶縁シート材３の上面にバンプ１の先端を突出させる。インクジェット記録ヘッドの大型化に伴い、電気配線テープの電極（電極リード）と、記録素子基板上のバンプの位置のずれ量も大きくなり、バンプと電極リードの圧接に際し、バンプ上で電極リード倒れ、基板に損傷を与えてしまう。ワイヤ１２Ａ，１２Ｂをスタッドバンプ１１に一度接触させ、キャピラリー２１の移動を制御してワイヤ１２Ａ，１２Ｂをループ状に形成した後、ループ先端のワイヤ１２Ａ，１２Ｂを、スタッドバンプ１１に先に接触しているワイヤ１２Ａ，１２Ｂを介してスタッドバンプ１１に圧着する。The 配線基板１は、電子部品３に形成された金属バンプ４と、配線パターンを備える配線基板２に形成され金属バンプ４が嵌合された凹部５と、凹部５の内側面を被覆して形成されると共に金属バンプ４と配線パターンとを接続する金属メッキ層６とを備える。The 本発明による半田バンプ構造は、接触パッドと、前記接触パッド上に形成された中間層と、前記中間層上に形成された半田バンプとを含み、少なくとも１つの金属突起が前記中間層の表面上に突出し、前記半田バンプに埋められるようになる。A 配線基板４と電極パッド５との間には柔軟層７が形成され、複数個のバンプ電極３を均一に電極パッド５に接触させるための役割を果たしている。結果、配線基板１によれば、ハンダバンプにニッケル原子が拡散することはなく、ハンダバンプに金属間化合物が生成されるのを防止することができる。A 半導体ウェハに造り込んだ複数の半導体素子の電極パッド上に先端の尖った形状のバンプを形成し、このバンプを被覆するようにシート状封止樹脂をウェハ表面に貼り付ける。このため、リフローの際に、パラジュームにより金スタッドバンプの金が半田バンプのスズ中に拡散する速度を低下させ、カーケンダルボイドが発生しない。Since よって、バンプ形成前に、上記電極部分の金属粒子が適切な状態に変化させることができ、現象的には、従前に比べて電極部分とバンプとの接合状態の改善を図ることができる。その際、球状半導体装置１を配線基板７の穴９に挿入し、バンプ３とランド１３の位置合わせを行って、はんだペースト１５をリフローさせることによって、バンプ３とランド１３を接続する。法線ベクトルで記述される初期法線バンプマップデータＢＭｎを取得し（Ｓ１２０）、積分演算処理により一旦高度データの形式で記述される初期高度バンプマップデータＢＭｈへと変換する（Ｓ１４０）。アンダーフィルに生成された気泡にバンプ電極のはんだが流れ込み、バンプ電極間の短絡事故が発生することを防止する回路基板を提供する。The バンプ１８は、導電体に融着した下方部分と、バンプの先端に近づくにつれて断面の面積が小さくなる先細の形状に型押成形された上方部分とを有する。A 半田がパッド電極４に溶融して働く表面張力のみで得られる半田バンプ１１の形状は、ソルダーレジスト開口部６と表面が接触する接触部Ｐ１と、接触しない非接触部Ｐ２とが形成される。そして、半導体チップ５と配線基板４との平均間隙高さＨは、バンプ６の配設ピッチをＰ、間隙高さのばらつき量をＤとしたとき、式Ｐ／４−Ｄ／２≦Ｈ≦Ｐ／４＋Ｄ／２を満足させる値となっている。基板同士の横方向のずれを抑制するために、接合時の荷重を小さくすると、バンプ表面の薄い酸化膜を破壊してバンプの清浄面同士を接触させることが困難になる。導電連絡部１４における少なくともバンプ部１５と接する部位は、低融点金属（例えばバンプ部１５の溶融温度以下で溶融可能な金属）よりなる。The このチップ部品組立体を製造する工程では、突起状のチップ部品５のバンプ電極４を、これと接合すべき他のチップ部品５のバンプ電極３に突き刺すための工程を有する。その後、ウェーハＷ上に残る金属ペーストＰをベークし超微粒子金属を一体化させてマイクロバンプＭ_1 とし、これを溶融させて微小球体状のマイクロバンプＭ_2 とする。©2020 Weblio
私がニュージーランドで生活をするようになってから、"pop" という単語をやたら頻繁に耳にするようになりました。 日本では「ポップ」というと「ポップコーン」や「ポップミュージック」ぐらいでしか耳にしなかったのですが、こちらでは毎日のように使われている気がします。 記事を読む1位2位3位4位5位6位7位8位9位10位11位12位13位14位15位 自＋ 1 …にぶつかる（⇒ 動 1） 2 ((略式))〈知り合いに〉ばったり出くわす; bump off. bump into.