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ソグラフィによる微細化が理論限界を 迎えている（囲み記事参照）。しかし， 半導体デバイスの微細化と低コスト化 の要求に応えていくため，次世代のリソ グラフィ技術へのパラダイムシフトが起 こっている。 ここでは，東芝の半導体デバイスの h�b```"Mv�3� �� 442 0 obj <>stream

このため，半導体デバイスの微細化トレンドは，SoCや フラッシュ・メモリーを中心に前倒し傾向にある。すでに 45nmデバイスの量産が始まり，32～22nmプロセスの開発 も行われている。回路パターンの微細化，高密度化/高集積

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0 h�bbd```b``�"���!�d���1 ��L��H�& �8�)X�+�� $�;�20120��D�fE�g`�� ` {� 微細化技術は，半導体製品の高集積 微細化と新材料の開発 図1．itrsの微細化ロードマップと東芝の実績－ロードマップでは年率およそ85%に微細化する ことが求められており， 当社はロードマップに沿った微細加工技術を確立してきた。 H��Uɪ+G�-o�K%�&`�/��3�2g"� ���Q�n�����tIG�#U��RK"EcMB��������~����+�&��di� 7������N2]�~«���w8.�O��=�ϸ�0(��b�"t��#�LQ�&�� 0$.�*�LR#7:���9����`�eV��m4͜����V2g#A��iibqh���R� {ݻ��������q?�4�$�C�O�Sל��F�?_��6o��U7�?6���vƢ��J�\����f��ͯ�����m�C�tL�!���^g�n�u�������w��?�_�U�g �9é�[!��J�{]����˂nd5�V��a�r�����~s�=��a��7�.>w���y��uO�S �p�8���A1�H����>�&���NJ�,��FH��3b�����������{+���y��)�����4����fi�8�B�j'��¥r�,B�NY�mxL��n���� Q�44!�µg���6�0N[�뫌}�0���;QQI�9&Ϝ�9YŔ嘲���9I�T��{�|֚L�E��DBfB endstream endobj 425 0 obj <>stream

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半導体用語集 出所：icガイドブック 2009年版 用語解説（アルファベット順、50音順） ここに記載されている用語は、icガイドブック 2009年版の本文に関係した主な用語を補足説明したものです。 関連する団体名（略称含む）は、icガイドブック 2009年版 p.326-327の「関連団体一覧」をご参照下さい

lsiの微細化はムーアの法則に従い 着々と進行している. 421 0 obj <> endobj %PDF-1.6 %����